由 dawei 随着半导体工艺技术的研发愈加困难，想突破更先进的工艺变得相当不容易。且不说英特尔在14nm工艺节点徘徊了很久，想进入10nm以下区域估计也要费不少周折，即便处于领先地位的台积电（TSMC），近期也传出3nm工艺延期的消息，至于台积电身后的追随者三星，似乎也不是特别顺利。
既然工艺技术提升受阻，或者要换个方式来提高未来芯片的性能了，也许3D堆叠技术是一种选择。据TomsHardware报道，Institute of Microeletronics（IME）的研究人员刚刚实现了一项技术突破，实现了多达四个半导体层的堆叠。与传统的二维制造技术相比，可以节省50%的成本，该技术可能会用于未来的CPU和GPU上，或许真正的新一代3D芯片堆叠就在眼前。
相比此前台积电和AMD的SRAM堆叠技术，IME的这项新技术更进一步。在AMD展示采用3D堆叠技术的Ryzen9 5900X处理器的原型设计里，基于台积电无损芯片堆叠技术的产品只有两层，第一层是Zen 3架构的CCX，第二层是96MB的SRAM缓存。IME的研究人员则展示了另外一种工艺，通过TSV（硅通孔技术）成功粘合了四个独立的硅层，允许不同模具之间通信。
这样的技术带来的好处是显而易见的，可以允许芯片由不同工艺的组件在不同晶圆中制造，在近期英特尔的演讲中可以感觉到，新芯片的设计上已经往这方面的思路发展了。这样的堆叠当然也会带来其他的问题，就如许多人所想的那样，虽然芯片效率提高了，但要面对散热问题，所以会看到许多奇特的、直接用在芯片上的散热技术开始浮现。